GB4943.1-2022新舊標(biāo)準(zhǔn)差異

2023-07-13   ?   orange

音視頻、信息技術(shù)和通信技術(shù)設(shè)備新標(biāo)準(zhǔn)GB4943.1-2022已于2022年07月19日正式發(fā)布,沿用了11年的標(biāo)準(zhǔn)GB4941.1-2011和GB8898.1:2011將逐漸退出檢測歷史舞臺,接下來為大家介紹GB4943.1-2022新標(biāo)與舊標(biāo)的差異。

GB4943.1-2022新舊標(biāo)準(zhǔn)差異:

一、引用了歐盟偏差中聲壓的要求,并增加了個人音樂播放器和配套用的耳塞式耳機(jī)或者頭戴式耳機(jī)的聲壓測試要求:

1.針對個人音樂播放器口:要求音頻輸出的聲壓值平均值低于85dB(A),否則需要相關(guān)的警告語提示要求;

2.對于耳塞式耳機(jī)或者頭戴式耳機(jī):對于模擬信號有線輸入耳機(jī),當(dāng)LAeq聲壓輸出為94dB(A)時,其輸入電壓應(yīng)不小于75mV,對于數(shù)字信號有線輸入耳機(jī),輸入信號為-10dBFS時,其耳機(jī)的LAeq.t聲輸出應(yīng)不大于100dB(A),對于無線耳機(jī),輸入信號為-10dBFS時,其耳機(jī)的LAeq.t聲輸出應(yīng)不大于100dB(A)。

二、增加了便攜式可充電鋰電池的安全防護(hù)要求:

1.充電的安全防護(hù)要求:當(dāng)電池溫度超過規(guī)定的最高充電溫度時。電池應(yīng)停止充電,當(dāng)電池溫度低于規(guī)定的最低充電溫度時,電池的充電電流不能超過制造商規(guī)定的充電電流,當(dāng)電池正常充電/單一故障充電時,電池的充電電壓和電流不能超過制造商規(guī)定的最大充電電壓和最大充電電流;

2.防火防護(hù)外殼要求:如果電池的輸出功率超過了PS1限值功率等級,需要至少V-0等級的防火外殼包裹住電池;

3.跌落要求:跌落測試后不得出現(xiàn)泄氣,起火,爆炸,漏液,保護(hù)電路失效等情況。


GB4943.1-2022新舊標(biāo)準(zhǔn)差異(圖1)


三、增加了戶外產(chǎn)品的測試要求:

1.防UV輻射:要求室外外殼的非金屬部分能充分抵御紫外線輻射造成的退化;

2.防腐蝕測試:要求室外外殼的金屬部件承受水飽和二氧化硫氣體和鹽霧測試防止器劣化,生銹等;

3.密封墊圈的壓縮實驗、拉伸強(qiáng)度和伸長率測試:要求密封用的墊圈在老化后的拉伸強(qiáng)度不低于老化前的75%,伸長率不低于老化前的60%,在壓縮實驗后密封墊圈的厚度壓縮量不能超過壓縮前的50%;

4.戶外產(chǎn)品的外殼的IP防水防塵測試:對于污染等級2的產(chǎn)品,要求至少滿足IP54的防水防塵防護(hù)等級;

5.戶外產(chǎn)品的外殼的冷沖擊測試:要求室外外殼能承受-33℃下的冷沖擊測試,且外殼不允許變形,破裂,損壞等。

對于廣大充電器、電源、耳機(jī)、音箱等電子設(shè)備生產(chǎn)商,在新國標(biāo)發(fā)布后的12個月過渡期里,應(yīng)及時了解新舊國標(biāo)相關(guān)差異,調(diào)整產(chǎn)品布局和生產(chǎn)研發(fā)流程,進(jìn)行證書換版,平穩(wěn)***渡到新國家標(biāo)準(zhǔn)。

四、新增了危險源的分類和分級的差異:

分類具體包括能量危險源(ES)、功率危險源(PS)、輻射危險源(RS)、機(jī)械危險源(MS)、和熱能危險源(RS)。

1級危險源:是指對人體不產(chǎn)生疼痛,但是可以感覺到危險的危險源;

2級危險源:是指對人體產(chǎn)生疼痛,但是不引起傷害的危險源;

3級危險源:是指對人體產(chǎn)生疼痛,且會引起傷害的危險源。

五、增加了包含紐扣電池的設(shè)備的特殊要求:

1.指示性安全防護(hù)的要求:需要增加誤食相關(guān)警告語;

2.結(jié)構(gòu)要求:電池倉門需要至少是兩個獨立并同步的動作才能手動打開或者需要借助工具才能打開;

3.滿足如下測試要求:應(yīng)力消除測試、電池更換測試、跌落測試、擠壓測試、沖擊測試、試驗指施加力測試。

六、引入了電弧性PIS和電阻性PIS的概念,針對不同的PIS對防火有不同的要求:

1.電弧性PIS:由開路電壓超過交流或者直流50V(在3s后)的導(dǎo)體或者電氣觸點在斷開時產(chǎn)生的PIS,或者由開路電壓峰值和測量的電壓有效值得乘積超過15W的觸點、端子、斷開的導(dǎo)體等部位產(chǎn)生PIS;

2.電阻性PIS:存在于PS2或者PS3電路中的任何部位。當(dāng)正常工作條件下30s后測量的好散功率大于15W、單一故障下30秒內(nèi)耗散功率超過100W或者是30s后耗散功率超過15W的任何部位產(chǎn)生的PIS。


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